11月24日，应物理与电子工程学院邀请，中国科学院专家陈小龙博士、王文军博士来校，为学院材料系师生作专题学术讲座。物电学院院长陈英才教授主持讲座。
陈小龙博士现任中科院物理所功能晶体研究与应用中心主任，国家杰出青年科学基金获得者，“新世纪百千万人才工程”国家级人选，长期从事宽禁带半导体材料和新功能晶体材料探索方面的研究工作，先后主持国家863、973和国家科技支撑计划等23个科研项目。王文军博士主要从事MOCVD法生长InN、GaN薄膜及其物性的研究，获得了高电子迁移率InN薄膜，目前主持国家自然科学基金2项、973课题1项。
陈小龙博士在“若干功能新材料和新效应探索及晶体生长”专题讲座中，首先列举DNA双螺旋结构、青蒿素、石墨烯等新材料的发现，阐述了新材料的发现对于科学发展所具有的重要意义；然后从相图测定、结构类比、材料基因方法、第一性原理计算等方面介绍了如何去发现新材料。讲座详细阐述了碳化硅从晶体生长到现在产业化的整个发展历程，深入简出，通俗易懂。
王文军博士的讲座以“PVT法AlN晶体生长研究进展”为主题，首先介绍了AlN晶体作为第三代半导体材料，及其在高压、高温、高频等方面的性能上比晶体硅具有突出的综合优势，从而在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着良好的应用前景；然后详细阐述了AlN晶体生长面临的问题，以及课题组十几年来对于AlN晶体生长工艺不断改进优化采取的技术手段和课题组掌握的AlN晶体生长的核心技术，并对AlN晶体生长未来的发展作了展望。
讲座结束后，两位专家还与师生们就AlN晶体生长面临的关键问题、国内外在材料研发上的差距等问题进行了深入的交流讨论；同时还介绍了中科院物理所的招生政策，鼓励同学们报考中国科学院物理研究所的研究生。本次讲座加强了学院的学术交流，营造了良好的对外交流与学习氛围。
